TESCAN MAGNA Сканирующий электронный микроскоп сверхвысокого разрешения с иммерсионной оптикой TriLens™ для исследований наноматериалов. TESCAN MAGNA – это мощный инструмент получения изображений с ультравысоким разрешением для наблюдений поверхностных свойств наноматериалов. Сканирующий электронный микроскоп TESCAN MAGNA оснащён электронной колонной Triglav™, комбинирующей в себе иммерсионную оптику и так называемый режим crossover-free, что даёт особенный выигрыш в пространственном разрешении именно при низких энергиях первичного электронного пучка. Режим crossover-free — это режим, в котором нет уширения электронного пучка из-за эффекта расталкивания пространственного заряда, так как по ходу движения пучка нет кроссовера. Также колонна Triglav™ включает в себя уникальную систему детектирования, встроенную внутрь электронной колонны, с селекцией обратно отражённых электронов (BSE) как по энергиям, так и по углам разлёта, что улучшает композиционный контраст и, в частности, позволяет получать изображения с композиционным контрастом от самых тонких приповерхностных слоёв образца. TESCAN MAGNA — это наилучшее решение для получения изображений с самым высоким разрешением при малых ускоряющих напряжениях в тех случаях, когда изучаются немагнитные образцы. Уникальная система детектирования микроскопа MAGNA позволяет детально дифференцировать типы ответных сигналов благодаря наличию трёх вариантов исполнения детекторов вторичных электронов (один внутрикамерный SE-детектор и два внутрилинзовых) и трёх вариантов детекторов отражённых электронов (один внутрикамерный BSE-детектор и два внутрилинзовых). Высокая производительность при низких энергиях электронного пучка и разнообразие доступных режимов получения изображений контролируются новым программным обеспечением TESCAN Essence™. Дружественный интерфейс TESCAN Essence™, имеющий модульную архитектуру и настраиваемый пользователем под определённую задачу, упрощает управление микроскопом, что увеличивает пропускную способность исследований. Микроскоп TESCAN MAGNA был разработан целенаправленно для получения СЭМ-изображений с ультравысоким разрешением, реализуемым при низких ускоряющих напряжениях. Зачастую этот микроскоп оснащён также детектором прошедших электронов STEM, который, напротив, применяется с высоким ускоряющим напряжением 30 кВ. Поэтому данный микроскоп станет наиболее подходящим выбором для работы с наноматериалами настоящего и будущего, такими как каталитические структуры, нанотрубки, наночастицы и материалы наносборки. Ключевые преимущества: Получение высококонтрастных изображений немагнитных материалов с ультравысоким разрешением Уникальная система детектирования TriBE™ и TriSE™ (что означает три варианта исполнения SE-детектора и три варианта исполнения BSE-детектора) для детальной селекции ответного электронного сигнала Детектор обратно отраженных электронов, встроенный внутрь электронной колонны, с фильтрацией BSE-электронов по энергиям Технология In-Flight Beam Tracing™ для быстрого переключение между режимами, оптимальными для получения изображений либо для проведения аналитических исследований Интуитивно понятное модульное программное обеспечение Essence™ для удобной работы независимо от уровня опыта пользователя
ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ
Источник электронов:
катод Шоттки
Разрешение
1.2 нм при 1 кэВ
0.9 нм при 1 кэВ (с технологией торможения пучка BDT) *
0.6 нм при 15 кэВ
0.5 нм при 30 кэВ, STEM-детектор
Увеличение
непрерывное от 2× до 1 000 000×
Детекторы и измерители
Измеритель поглощенного тока, включающий в себя функцию датчика касания
Внутрикамерный детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE)
Встроенный в электронную колонну детектор вторичных электронов (In-Beam SE)
Встроенный в электронную колонну детектор отражённых электронов с фильтрацией по энергиям (In-Beam f-BSE)
Встроенный в электронную колонну детектор отражённых электронов, рассеянных на средние углы (Mid-angel BSE)
Сцинтилляционный детектор вторичных электронов для работы в режиме низкого вакуума (LVSTD)*
Выдвижной (опционально моторизованный) детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа (R-BSE) *
Выдвижной (опционально моторизованный) детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE-BSE) *
4-сегментный выдвижной (опционально моторизованный) полупроводниковый детектор отражённых электронов, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE 4Q BSE) *
Выдвижной (опционально моторизованный) детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с водяным охлаждением, устойчив к высоким температурам < 800°C *
Выдвижной (опционально моторизованный) детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с Al-покрытием для одновременного детектирования BSE и катодолюминесцентного излучения (Al-BSE) *
Компактный с ручным выдвижением панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *
Компактный с ручным выдвижением панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *
Компактный с ручным выдвижением детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *
Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *
Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *
Выдвижной детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *
Выдвижной моторизованный детектор прошедших электронов (R-STEM), изображения светлого поля (BF), тёмного поля (DF) и в рассеянных на большие углы электронах (HADF), держатель для 8 сеточек *
EDS – энергодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *
EBSD – анализ картин дифракции отражённых электронов (интегрированный продукт другого производителя) *
WDS – волнодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *
Диапазон энергий электронного пучка
от 200 эВ до 30 кэВ (от 50 эВ с опцией торможения пучка BDT *)
Ток пучка
от 2 пА до 400 нА с непрерывной регулировкой
Количество портов
12+ (количество портов может быть изменено под задачи заказчика)
Максимальное поле обзора
более 8 мм при WD = 10 мм, более 50 мм при максимальном WD
Система сканирования
Время выдержки: 20 нс – 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно
Варианты сканирования: полный кадр, выделенная область, сканирование по линии и в точке
Сдвиг и вращение области сканирования, коррекция наклона поверхности образца
Аккумулирование линий или кадров
Динамический фокус
Аккумулирование кадров с коррекцией дрейфа (DCFA)
Получение изображений (* – опционально)
Максимальный размер кадра: 16k x 16k пикселей
Соотношение сторон изображения: 1:1, 4:3 и 2:1
Сшивка изображений, размер панорам не ограничен (требуется программный модуль Image Snapper) *
Одновременное накопление сигналов с нескольких каналов детектирования (вплоть до 8 каналов)
Псевдоокрашивание изображений и микширование многоканальных сигналов
Множество форматов изображений, включая TIFF, PNG, BMP, JPEG и GIF
Глубина градаций серого (динамический диапазон): 8 или 16 бит
-150x150w.jpg)
